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FQD2N60CTM-WS è obsoleto e non è più in produzione.
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FQD2N60CTM-WS | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD2N60CTM-WSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD2N60CTM-WS |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 1,9 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQD2N60CTM-WS Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 44W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7ohm a 950mA, 10V |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N60CTM | onsemi | 2’344 | FQD2N60CTMCT-ND | Fr. 1.09000 | Equivalente parametrico |
| AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 34’999 | 785-1180-1-ND | Fr. 0.94000 | Simile |
| AOD2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2’407 | 785-1663-1-ND | Fr. 0.94000 | Simile |
| IRFRC20PBF | Vishay Siliconix | 3’449 | IRFRC20PBF-ND | Fr. 2.11000 | Simile |
| IRFRC20TRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFRC20TRLPBFCT-ND | Fr. 2.11000 | Simile |
Obsoleto
