


FQD3P50TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD3P50TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD3P50TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD3P50TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQD3P50TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,9ohm a 1,05A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 660 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 50W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.57000 | Fr. 1.57 |
| 10 | Fr. 1.00400 | Fr. 10.04 |
| 100 | Fr. 0.67810 | Fr. 67.81 |
| 500 | Fr. 0.53856 | Fr. 269.28 |
| 1’000 | Fr. 0.50568 | Fr. 505.68 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.44510 | Fr. 1’112.75 |
| 5’000 | Fr. 0.41510 | Fr. 2’075.50 |
| 7’500 | Fr. 0.41314 | Fr. 3’098.55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.69717 |









