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FQD5N50CTM-WS è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FQD5N50CTM-WS | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD5N50CTM-WS-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD5N50CTM-WS |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 4 A (Tc) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQD5N50CTM-WS Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 625 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4’758 | FDD5N50NZTMCT-ND | Fr. 1.35000 | Consigliato dal produttore |
| AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1360-2-ND | Fr. 0.20928 | Simile |
| IRFR430ATRPBF | Vishay Siliconix | 1’748 | IRFR430ATRPBFCT-ND | Fr. 2.20000 | Simile |
| STD6N52K3 | STMicroelectronics | 2’500 | 497-10118-1-ND | Fr. 1.52000 | Simile |
| TK5P53D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 1’689 | 264-TK5P53D(T6RSS-Q)CT-ND | Fr. 1.84000 | Simile |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
