FQD5N50CTM-WS onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FQD5N50CTM-WS è obsoleto e non è più in produzione.

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FQD5N50CTM-WS
Codice DigiKey	FQD5N50CTM-WS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD5N50CTM-WS
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 4 A (Tc) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQD5N50CTM-WS Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	625 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252 (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FQD5N50