FQI7N60TU onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FQI7N60TU
Codice DigiKey	FQI7N60TU-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQI7N60TU
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 7,4 A (Tc) 3,13W (Ta), 142W (Tc) Foro passante TO-262 (I2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQI7N60TU Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1ohm a 3,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1430 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-262 (I2PAK)
Contenitore/involucro	TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA
Codice componente base	FQI7N60

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 2.91000	Fr. 2.91
10	Fr. 1.90600	Fr. 19.06
100	Fr. 1.33490	Fr. 133.49
500	Fr. 1.09086	Fr. 545.43

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