FQP12P20 onsemi | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : Fr. 2.54000

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FQP12P20
Codice DigiKey	FQP12P20-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQP12P20
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 200 V 11,5 A (Tc) 120W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQP12P20 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQP12
RDSon (max) a Id, Vgs 470mohm a 5,75A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF9640PBF	Vishay Siliconix	0	IRF9640PBF-ND	Fr. 2.54000	Simile

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FQP12P20