FQP19N20-T onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FQP19N20

onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.63449

Scheda tecnica

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FQP19N20-T
Codice DigiKey	488-FQP19N20-T-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQP19N20-T
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 19,4 A (Tc) 140W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 9,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3

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