FQPF8N80CYDTU onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FQPF8N80CYDTU
Codice DigiKey	488-FQPF8N80CYDTU-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQPF8N80CYDTU
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 8 A (Tc) 59W (Tc) Foro passante TO-220F-3 (formatura a Y)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,55ohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2050 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	59W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220F-3 (formatura a Y)
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack, conduttori formati
Codice componente base	FQPF8

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