FQPF9N25CYDTU onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FQPF9N25CYDTU è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 374

Prezzo unitario : Fr. 2.26000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 58

Prezzo unitario : Fr. 2.09000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FQPF9N25CYDTU
Codice DigiKey	FQPF9N25CYDTU-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQPF9N25CYDTU
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 8,8 A (Tc) 38W (Tc) Foro passante TO-220F-3 (formatura a Y)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQPF9N25CYDTU Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	430mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	710 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220F-3 (formatura a Y)
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack, conduttori formati
Codice componente base	FQPF9