
FQT1N80TF-WS | |
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Codice DigiKey | FQT1N80TF-WSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQT1N80TF-WSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQT1N80TF-WS |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQT1N80TF-WS Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20ohm a 100mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 195 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.05000 | Fr. 1.05 |
10 | Fr. 0.68000 | Fr. 6.80 |
100 | Fr. 0.47900 | Fr. 47.90 |
500 | Fr. 0.40450 | Fr. 202.25 |
1’000 | Fr. 0.36881 | Fr. 368.81 |
2’000 | Fr. 0.35509 | Fr. 710.18 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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4’000 | Fr. 0.30600 | Fr. 1’224.00 |
8’000 | Fr. 0.29230 | Fr. 2’338.40 |
12’000 | Fr. 0.29204 | Fr. 3’504.48 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.05000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.13505 |