MBR5H100MFST3G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

MBR5H100MFST3G è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

onsemi

In magazzino: 3’341

Prezzo unitario : Fr. 0.60000

Equivalente parametrico

onsemi

In magazzino: 8’108

Prezzo unitario : Fr. 1.03000

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MBR5H100MFST3G
Codice DigiKey	MBR5H100MFST3GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	MBR5H100MFST3G
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 100 V 5A A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MBR5H100MFST3G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	100 V
Corrente - Media rettificata (Io)	5A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	730 mV @ 5 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	100 µA @ 100 V
Capacità a Vr, F	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	MBR5H100