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MCH6605-TL-E | |
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Codice DigiKey | MCH6605-TL-E-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | MCH6605-TL-E |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 50V 140mA 800mW A montaggio superficiale 6-MCPH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 22ohm a 40mA, 10V |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,32nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6,2pF a 10V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 800mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Gate livello logico, comando 4V | Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 50V | Contenitore del fornitore 6-MCPH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 140mA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NDC7003P | onsemi | 6’215 | NDC7003PCT-ND | Fr. 0.44000 | Simile |


