Name: MGSF1N03LT1G
Brand: onsemi
SKU: MGSF1N03LT1GOSTR-ND
Price: 0.47564 CHF
Availability: InStock

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MGSF1N03LT1G
Codice DigiKey	MGSF1N03LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MGSF1N03LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MGSF1N03LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MGSF1N03LT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,6 A (Ta) 420mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MGSF1N03LT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 1,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 250µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	140 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	420mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	MGSF1

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Nastrato in bobina (TR)