Name: MJD31CT4G
Brand: onsemi
SKU: MJD31CT4GOSTR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

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MJD31CT4G
Codice DigiKey	MJD31CT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MJD31CT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MJD31CT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MJD31CT4G
Descrizione	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN
Corrente - Collettore (Ic) max	3 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	1,2V a 375mA, 3A
Corrente - Interruzione collettore (max)	50µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	10 a 3A, 4V
Potenza - Max	1.56 W
Frequenza - Transizione	3MHz
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	DPAK
Codice componente base	MJD31

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Nastrato in bobina (TR)