NDBA100N10BT4H onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NDBA100N10BT4H è obsoleto e non è più in produzione.

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NDBA100N10BT4H
Codice DigiKey	NDBA100N10BT4H-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NDBA100N10BT4H
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Ta) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NDBA100N10BT4H Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,9mohm a 50A, 15V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2950 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	NDBA10