NDPL100N10BG onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NDPL100N10BG è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

onsemi

In magazzino: 605

Prezzo unitario : Fr. 2.59000

Simile

Taiwan Semiconductor Corporation

In magazzino: 7

Prezzo unitario : Fr. 2.82000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NDPL100N10BG
Codice DigiKey	NDPL100N10BG-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NDPL100N10BG
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Ta) 2,1W (Ta), 110W (Tc) Foro passante TO-220-3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,2mohm a 50A, 15V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2950 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	NDPL10