NJVMJD117T4G onsemi | Transistor bipolari singoli

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NJVMJD117T4G
Codice DigiKey	488-NJVMJD117T4GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NJVMJD117T4G
Descrizione	TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NJVMJD117T4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 1000 a 2A, 3V
Produttore onsemi	Potenza - Max 1.75 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Frequenza - Transizione 25MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor PNP - Darlington	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 2 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 100 V	Contenitore del fornitore DPAK
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 3V a 40mA, 4A	Codice componente base NJVMJD117
Corrente - Interruzione collettore (max) 20µA

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MJD117G	onsemi	66	MJD117GOS-ND	Fr. 1.09000	Equivalente parametrico
MJD117T4G	onsemi	0	MJD117T4GOSCT-ND	Fr. 1.01000	Equivalente parametrico
MJD117TF	onsemi	3’220	MJD117TFCT-ND	Fr. 0.84000	Equivalente parametrico
MJD117T4	STMicroelectronics	1’143	497-6464-1-ND	Fr. 0.92000	Diretto

In magazzino: 2’500

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.35725	Fr. 893.12
5’000	Fr. 0.33168	Fr. 1’658.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.35725
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.38619

NJVMJD117T4G