Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK
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NJVMJD117T4G

Codice DigiKey
488-NJVMJD117T4GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NJVMJD117T4G
Descrizione
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
NJVMJD117T4G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
PNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max
2 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
3V a 40mA, 4A
Corrente - Interruzione collettore (max)
20µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
1000 a 2A, 3V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
25MHz
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore
DPAK
Codice componente base
NJVMJD117
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