NJVMJD253T4G-VF01 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 1.01000

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NJVMJD253T4G-VF01
Codice DigiKey	NJVMJD253T4G-VF01OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NJVMJD253T4G-VF01
Descrizione	TRANS PNP 100V 4A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 100 V 4 A 40MHz 12.5 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NJVMJD253T4G-VF01 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	4 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	600mV a 100mA, 1A
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	40 a 200mA, 1V
Potenza - Max	12.5 W
Frequenza - Transizione	40MHz
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	DPAK
Codice componente base	NJVMJD253