NRVBM110ET1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NRVBM110ET1G è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.51000

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NRVBM110ET1G
Codice DigiKey	NRVBM110ET1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NRVBM110ET1G
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 10 V 1A A montaggio superficiale Powermite
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	onsemi
Serie	POWERMITE®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	10 V
Corrente - Media rettificata (Io)	1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	595 mV @ 2 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	1 µA @ 10 V
Capacità a Vr, F	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	DO-216AA
Contenitore del fornitore	Powermite
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Codice componente base	NRVBM110