NSBC123JF3T5G è obsoleto e non è più in produzione.
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica
NST857BF3T5G
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NSBC123JF3T5G

Codice DigiKey
NSBC123JF3T5G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NSBC123JF3T5G
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 254 mW A montaggio superficiale SOT-1123
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NSBC123JF3T5G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
NPN - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Resistori inclusi
R1 e R2
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 5mA, 10V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
250mV a 1mA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Potenza - Max
254 mW
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-1123
Contenitore del fornitore
SOT-1123
Codice componente base
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