NSL12AWT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NSL12AWT1G
Codice DigiKey	NSL12AWT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSL12AWT1G
Descrizione	TRANS PNP 12V 2A SC-88/SC70-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 12 V 2 A 100MHz 450 mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSL12AWT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	2 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	12 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	290mV a 20mA, 1A
Corrente - Interruzione collettore (max)	100nA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	100 a 800mA, 1,5V
Potenza - Max	450 mW
Frequenza - Transizione	100MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	NSL12