Name: NSS1C200MZ4T1G
Brand: onsemi
SKU: NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND
Price: 0.70265 CHF
Availability: InStock

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NSS1C200MZ4T1G
Codice DigiKey	NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NSS1C200MZ4T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NSS1C200MZ4T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSS1C200MZ4T1G
Descrizione	TRANS PNP 100V 2A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSS1C200MZ4T1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	2 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	220mV a 200mA, 2A
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	120 a 500mA, 2V
Potenza - Max	800 mW
Frequenza - Transizione	120MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Contenitore del fornitore	SOT-223 (TO-261)
Codice componente base	NSS1C200

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)