NSV1C301ET4G-VF01 onsemi | Transistor bipolari singoli

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NSV1C301ET4G-VF01
Codice DigiKey	NSV1C301ET4G-VF01OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NSV1C301ET4G-VF01OSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSV1C301ET4G-VF01
Descrizione	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 100 V 3 A 120MHz 2.1 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSV1C301ET4G-VF01 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 1A, 2V
Produttore onsemi	Potenza - Max 2.1 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Frequenza - Transizione 120MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 3 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 100 V	Contenitore del fornitore DPAK
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300mA, 3A	Codice componente base NSV1C301
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NSV1C301ET4G	onsemi	2’224	488-NSV1C301ET4GCT-ND	Fr. 1.00000	Consigliato dal produttore
MJD31C-13	Diodes Incorporated	17’374	MJD31C-13DICT-ND	Fr. 0.62000	Simile
MJD31CQ-13	Diodes Incorporated	2’071	MJD31CQ-13DICT-ND	Fr. 0.98000	Simile
MJD31CT4	STMicroelectronics	1’569	497-2484-1-ND	Fr. 1.11000	Simile
MJD31CT4-A	STMicroelectronics	5’326	497-10312-1-ND	Fr. 0.59000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.08100

NSV1C301ET4G-VF01