Name: NSVEMT1DXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVEMT1DXV6T1GTR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

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NSVEMT1DXV6T1G
Codice DigiKey	488-NSVEMT1DXV6T1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NSVEMT1DXV6T1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NSVEMT1DXV6T1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVEMT1DXV6T1G
Descrizione	TRANS 2PNP 60V 100MA SOT-563
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 PNP (doppio) 60V 100mA 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSVEMT1DXV6T1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 1mA, 6V
Produttore onsemi	Potenza - Max 500mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 140MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor 2 PNP (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60V	Contenitore del fornitore SOT-563
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 5mA, 50mA	Codice componente base NSVEMT1
Corrente - Interruzione collettore (max) 500 pA (ICBO)

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BCM857BV,115	Nexperia USA Inc.	5’408	1727-5459-1-ND	Fr. 0.46000	Simile

In magazzino: 3’970

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4’000	Fr. 0.06897	Fr. 275.88
8’000	Fr. 0.06266	Fr. 501.28

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.37835

NSVEMT1DXV6T1G