NSVF6003SB6T1G onsemi | Transistor RF bipolari

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NSVF6003SB6T1G
Codice DigiKey	NSVF6003SB6T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NSVF6003SB6T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NSVF6003SB6T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVF6003SB6T1G
Descrizione	RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 12V 150mA 7GHz 800mW A montaggio superficiale 6-CPH
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 50mA, 5V
Produttore onsemi	Corrente - Collettore (Ic) max 150mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Obsoleto	Grado Automobilistico
Tipo di transistor NPN	Qualifica AEC-Q101
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 12V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Frequenza - Transizione 7GHz	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Cifra di rumore (dB tip. a f) 3dB a 1GHz	Contenitore del fornitore 6-CPH
Guadagno 9dB	Codice componente base NSVF6003
Potenza - Max 800mW

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
HFA3134IHZ96	Renesas Electronics Corporation	9’465	HFA3134IHZ96CT-ND	Fr. 6.89000	Simile
MRF455	MACOM Technology Solutions	38	1465-1191-ND	Fr. 118.47000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.47564

NSVF6003SB6T1G