Name: NSVMUN5211DW1T2G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN5211DW1T2GOSTR-ND
Price: 0.24863 CHF
Availability: InStock

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NSVMUN5211DW1T2G
Codice DigiKey	NSVMUN5211DW1T2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NSVMUN5211DW1T2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NSVMUN5211DW1T2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVMUN5211DW1T2G
Descrizione	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 385mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSVMUN5211DW1T2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Produttore onsemi	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 385mW
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo di transistor 2 NPN - pre-polarizzati (doppi)	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1) 10kohm	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistore - Base emettitore (R2) 10kohm	Codice componente base MUN5211
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 35 a 5mA, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.04334	Fr. 130.02
6’000	Fr. 0.03892	Fr. 233.52

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.24863

NSVMUN5211DW1T2G