Name: NSVMUN5312DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND
Price: 0.23782 CHF
Availability: InStock

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NSVMUN5312DW1T3G
Codice DigiKey	488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NSVMUN5312DW1T3GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NSVMUN5312DW1T3GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVMUN5312DW1T3G
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSVMUN5312DW1T3G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Produttore onsemi	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 250mW
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1) 22kohm	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistore - Base emettitore (R2) 22kohm	Codice componente base MUN5312
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 60 a 5mA, 10V

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