Name: NSVMUN5314DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMUN5314DW1T3GTR-ND
Price: 0.23782 CHF
Availability: InStock

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NSVMUN5314DW1T3G
Codice DigiKey	488-NSVMUN5314DW1T3GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NSVMUN5314DW1T3GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NSVMUN5314DW1T3GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVMUN5314DW1T3G
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSVMUN5314DW1T3G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	10kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 5mA, 10V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	250mV a 300µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	-
Potenza - Max	250mW
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	MUN5314

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