Name: NTA4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTA4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.30268 CHF
Availability: InStock

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NTA4153NT1G
Codice DigiKey	NTA4153NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTA4153NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTA4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTA4153NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) A montaggio superficiale SC-75, SOT-416
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTA4153NT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	915mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	230mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	110 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300mW (Tj)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-75, SOT-416
Contenitore/involucro	SC-75, SOT-416
Codice componente base	NTA4153

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Nastrato in bobina (TR)