NTB13N10T4G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTB13N10T4G
Codice DigiKey	NTB13N10T4GOS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTB13N10T4G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13 A (Ta) 64,7W (Ta) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTB13N10T4G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	165mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	550 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	64,7W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	NTB13