Name: NTB25P06T4G
Brand: onsemi
SKU: NTB25P06T4GOSTR-ND
Price: 2.77817 CHF
Availability: InStock

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NTB25P06T4G
Codice DigiKey	NTB25P06T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTB25P06T4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTB25P06T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTB25P06T4G
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 27,5 A (Ta) 120W (Tj) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±15V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1680 pF @ 25 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 120W (Tj)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 82mohm a 25A, 10V	Codice componente base NTB25

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 0.82960	Fr. 663.68
1’600	Fr. 0.77091	Fr. 1’233.46

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.77817

NTB25P06T4G