Name: NTB6410ANT4G
Brand: onsemi
SKU: NTB6410ANT4GOSTR-ND
Price: 3.68621 CHF
Availability: InStock

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NTB6410ANT4G
Codice DigiKey	NTB6410ANT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTB6410ANT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTB6410ANT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTB6410ANT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 76 A (Tc) 188W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 76 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 76A, 10V	Codice componente base NTB6410

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In magazzino: 880

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.15214	Fr. 921.71
1’600	Fr. 1.08943	Fr. 1’743.09

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.68621

NTB6410ANT4G