Name: NTBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG030N120M3STR-ND
Price: 10.89648 CHF
Availability: InStock

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NTBG030N120M3S
Codice DigiKey	5556-NTBG030N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG030N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG030N120M3S
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 77 A (Tc) 348W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTBG030N120M3S Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,4V a 15mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 107 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2430 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 348W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 77 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 39mohm a 30A, 18V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 4.59893	Fr. 3’679.14

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 10.08000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 10.89648

NTBG030N120M3S