


NTBG040N120M3S | |
|---|---|
Codice DigiKey | 5556-NTBG040N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTBG040N120M3S |
Descrizione | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,4V a 10mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 18 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +22V, -10V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 800 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK-7 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 54mohm a 20A, 18V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.78000 | Fr. 8.78 |
| 10 | Fr. 6.05800 | Fr. 60.58 |
| 100 | Fr. 4.69530 | Fr. 469.53 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 3.83599 | Fr. 3’068.79 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.78000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.49118 |


