Canale N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
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Canale N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
NTBG1000N170M1

NTBG040N120M3S

Codice DigiKey
5556-NTBG040N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTBG040N120M3S
Descrizione
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,4V a 10mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
75 nC @ 18 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
+22V, -10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1700 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
54mohm a 20A, 18V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 831
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.78000Fr. 8.78
10Fr. 6.05800Fr. 60.58
100Fr. 4.69530Fr. 469.53
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 3.83599Fr. 3’068.79
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 8.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.49118