Name: NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG060N065SC1TR-ND
Price: 10.33436 CHF
Availability: InStock

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NTBG060N065SC1
Codice DigiKey	5556-NTBG060N065SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG060N065SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG060N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG060N065SC1
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 46 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTBG060N065SC1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,3V a 6,5mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1473 pF @ 325 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 46 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 20A, 18V	Codice componente base NTBG060

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In magazzino: 335

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 4.28946	Fr. 3’431.57

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 9.56000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 10.33436

NTBG060N065SC1