Name: NTBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG070N120M3STR-ND
Price: 7.30756 CHF
Availability: InStock

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NTBG070N120M3S
Codice DigiKey	5556-NTBG070N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG070N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG070N120M3S
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 36 A (Tc) 172W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,4V a 7mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1230 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 172W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 87mohm a 15A, 18V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H90SCT7-ND	Fr. 4.23480	Simile

In magazzino: 1

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 2.74190	Fr. 2’193.52
1’600	Fr. 2.72066	Fr. 4’353.06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.30756

NTBG070N120M3S