NTD60N02RT4 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTD60N02RT4
Codice DigiKey	NTD60N02RT4OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD60N02RT4
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 8,5 A (Ta), 32 A (Tc) 1,25W (Ta), 58W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTD60N02RT4 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,5 A (Ta), 32 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1330 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NTD60