NTD6600N onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTD6600N è obsoleto e non è più in produzione.

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NTD6600N
Codice DigiKey	NTD6600N-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD6600N
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12 A (Ta) 1,28W (Ta), 56,6W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	146mohm a 6A, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,28W (Ta), 56,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NTD66