NTD80N02-1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTD80N02-1G
Codice DigiKey	NTD80N02-1GOS-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD80N02-1G
Descrizione	MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 24 V 80 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante IPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTD80N02-1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	24 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2600 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	IPAK
Contenitore/involucro	TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Codice componente base	NTD80