Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 0.88642 CHF
Availability: InStock

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NTF6P02T3G
Codice DigiKey	NTF6P02T3GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTF6P02T3G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTF6P02T3G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1200 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	8,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223 (TO-261)
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	NTF6P02