Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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NTGD4167CT1G
Codice DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTGD4167CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTGD4167CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTGD4167CT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,5nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 295pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 900mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A, 1,9 A	Codice componente base NTGD4167
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 2,6A, 4,5V