Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 0.83237 CHF
Availability: InStock

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NTGD4167CT1G
Codice DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTGD4167CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTGD4167CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTGD4167CT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A, 1,9 A
RDSon (max) a Id, Vgs	90mohm a 2,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	295pF a 15V
Potenza - Max	900mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Codice componente base	NTGD4167

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Nastrato in bobina (TR)