Name: NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L028N170M1-ND
Price: 32.00841 CHF
Availability: InStock

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NTH4L028N170M1
Codice DigiKey	5556-NTH4L028N170M1-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTH4L028N170M1
Descrizione	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	81 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	40mohm a 60A, 20V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	200 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4230 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	535W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	NTH4L02

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