Name: NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L028N170M1-ND
Price: 33.34885 CHF
Availability: InStock

Canale N 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Foro passante TO-247-4L

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NTH4L028N170M1
Codice DigiKey	5556-NTH4L028N170M1-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTH4L028N170M1
Descrizione	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Tempi di consegna standard del produttore	99 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,3V a 20mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 20 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) +25V, -15V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4230 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 535W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 81 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-247-4L
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-247-4
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 60A, 20V	Codice componente base NTH4L02

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1	Fr. 30.85000	Fr. 30.85
10	Fr. 22.91400	Fr. 229.14

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