
NTHD4102PT1G | |
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Codice DigiKey | NTHD4102PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTHD4102PT1G |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTHD4102PT1G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2,9A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 80mohm a 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8,6nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 750pF a 16V | |
Potenza - Max | 1,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | ChipFET™ | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.25000 | Fr. 1.25 |
| 10 | Fr. 0.78900 | Fr. 7.89 |
| 100 | Fr. 0.52610 | Fr. 52.61 |
| 500 | Fr. 0.41322 | Fr. 206.61 |
| 1’000 | Fr. 0.37690 | Fr. 376.90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33077 | Fr. 992.31 |
| 6’000 | Fr. 0.30756 | Fr. 1’845.36 |
| 9’000 | Fr. 0.29780 | Fr. 2’680.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.25000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.35125 |










