NTHL080N120SC1 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTHL080N120SC1
Codice DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHL080N120SC1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 44 A (Tc) 348W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTHL080N120SC1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	44 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id	4.3V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1670 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	348W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	NTHL080