Name: NTHS4101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHS4101PT1GOSTR-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

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NTHS4101PT1G
Codice DigiKey	NTHS4101PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHS4101PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHS4101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHS4101PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,8 A (Tj) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 16 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,8 A (Tj)	Contenitore del fornitore ChipFET™
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 4,8A, 4,5V	Codice componente base NTHS4101

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In magazzino: 7’781

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.33330	Fr. 999.90
6’000	Fr. 0.31009	Fr. 1’860.54

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.44854

NTHS4101PT1G