Name: NTJD4152PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4152PT1GOSTR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

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NTJD4152PT1G
Codice DigiKey	NTJD4152PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTJD4152PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTJD4152PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTJD4152PT1G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 880mA 272mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTJD4152PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	880mA
RDSon (max) a Id, Vgs	260mohm a 880mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	155pF a 20V
Potenza - Max	272mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	NTJD4152

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Nastrato in bobina (TR)