NTLGD3502NT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTLGD3502NT1G
Codice DigiKey	NTLGD3502NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLGD3502NT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,3 A, 3,6 A 1,74W A montaggio superficiale 6-DFN (3x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,3 A, 3,6 A
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 4,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	480pF a 10V
Potenza - Max	1,74W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-VDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	6-DFN (3x3)
Codice componente base	NTLGD35