Name: NTLJD3115PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3115PT1GOSTR-ND
Price: 0.95128 CHF
Availability: InStock

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NTLJD3115PT1G
Codice DigiKey	NTLJD3115PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJD3115PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJD3115PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJD3115PT1G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,3A 710mW A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 531pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 710mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,3A	Codice componente base NTLJD3115
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 2A, 4,5V

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In magazzino: 8’672

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.20445	Fr. 613.35
6’000	Fr. 0.18863	Fr. 1’131.78

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.95128

NTLJD3115PT1G