Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 0.6486 CHF
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
Codice DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJS2103PTBG
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	µCool™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	40mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	800mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1157 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-WDFN (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	NTLJS2103

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Nastrato in bobina (TR)