Name: NTLJS4114NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJS4114NT1GOSTR-ND
Price: 1.23234 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTLJS4114NT1G
Codice DigiKey	NTLJS4114NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJS4114NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJS4114NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJS4114NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 3,6 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Serie µCool™	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base NTLJS4114
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 2A, 4,5V